SRAM، DRAM، و cache

المان اساسی RAM استاتیک (یا SRAM)، واحد سلول ذخیره سازی است که از تعدادی سلول حافظه تشکیل شده است که هر کدام از آنها، یک بیت را در مدارات فلیپ فلاپ خود نگهداری می کنند. خطوط آدرس، اطلاعات آدرسی را که می بایست رم از آنها برای ذخیره سازی یا بازیابی اطلاعات، استفاده کند را نشان می دهد.

خطوط کنترل خواندن و نوشتن، مشخص می کند که اطلاعات ذخیره شوند یا بازیابی شوند. خطوط داده نیز، داده ها را در هر دو طرف منتقل می کند. دستگاه های دیگری که در یک واحد ذخیره سازی قرار دارند شامل رجسترهای آدرس، دیکدر، رجیستر بافر حافظه و درایور هایی به شکل مبدلها یا تقویت کننده ها هستند.

واحد SRAM، مادامیکه که جریان الکتریکی جریان دارد، محتویات خود را حفظ خواهند کرد و هنگامیکه جریان الکتریکی قطع شود، محتویات نیز از بین خواهند رفت.

اکثرا رم های سیستمی، از RAM دینامیک (یا DRAM) تشکیل شده اند. این حافظه ها نسبتا ارزانتر بوده از SRAM ها بوده چراکه هر بیت توسط یک خازن ذخیره سازی می شود. هر سلول DRAM از یک خازن برای نگهداری محتویات یک بیت و یک ترانزیستور برای ویرایش یا بازیابی محتویات بیت استفاده می کند.

یک پالس جریان الکتریکی بطور پیوسته سلولهای حافظه را بروز رسانی می کند. چنانچه این جریان الکتریکی قطع شود، اطلاعات نیز از بین خواهند رفت. هر زمان که اطلاعات خوانده می شوند، خازن نگهدارنده اطلاعات، محتویات خود را از دست می دهد و اصطلاحا دشارژ می شود.

DRAM در بسته بندی ۳۰ یا ۷۰ پینی بصورت تک ردیفه (SIMM) و یا دو ردیفه (DIMM) بسته بندی می شوند.

انواع دیگر حافظه رم شامل رم cache سطح ۱ (L1) یا رم cache سطح ۲ (L2) می باشد. حافظه cache از سلولهای SRAM تشکیل شده است. از آنجاییکه cache بسیار نزدیک به CPU بوده، در نتیجه باید زمان دسترسی فوق العاده پایینی داشته باشد.

رم cache L1، بعنوان رم داخلی CPU تعریف می شود در حالیکه رم cache L2 بعنوان cache ثانویه یا حافظه خارجی CPU تعریف می شود.

طرحهای جدید شامل رم cache سطح ۳ (L3)، و رم cache سطح ۴ (L4) می باشد.

رم نگهدارنده (PRAM) از یک باتری برای نگهداری اطلاعات استفاده می کند و محتویات خود را حتی پس از قطع کامل منبع تغذیه، نگاه خواهد داشت.

منبع